Datasheet TK8A60DA(Q,M) - Toshiba Даташит Полевой транзистор, N CH, 600 В, 7.5 А, SC-67 — Даташит

Toshiba TK8A60DA(Q,M)

Наименование модели: TK8A60DA(Q,M)

Купить TK8A60DA(Q,M) на РадиоЛоцман.Цены — от 12 до 170 ₽ 18 предложений от 13 поставщиков MOSFET N-CH 600V 7.5A TO-220SIS / Trans MOSFET N-CH Si 600V 7.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
ChipWorker Весь мир	TK8A60DA Toshiba	12 ₽
727GS Весь мир	TK8A60DA(STA4,Q,M)	130 ₽
Кремний Россия и страны СНГ	TK8A60DA Toshiba 10000 Toshiba	по запросу
Augswan Весь мир	TK8A60DA(STA4,X,S) Toshiba	по запросу

Подробное описание

Производитель: Toshiba

Описание: Полевой транзистор, N CH, 600 В, 7.5 А, SC-67

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
TK8A60DA
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOS)
TK8A60DA
Switching Regulator Applications
· · · · Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 0.8 (typ.) High forward transfer admittance: Yfs = 4.0 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 600 V) Enhancement-mode: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) Unit: mm

Спецификации:

Полярность транзистора: N Channel
Drain Source Voltage Vds: 600 В
On State Resistance: 800 МОм
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
Voltage Vgs Max: 30 В
Корпус транзистора: SC-67
Количество выводов: 3
Current Id Max: 7.5 А
Power Dissipation Pd: 45 Вт

RoHS: Y-Ex

Дополнительные аксессуары:

AAVID THERMALLOY - 220SA
AAVID THERMALLOY - BW50-2G
ABL HEATSINKS - 205AB0500B
GC ELECTRONICS - 10-8108

Варианты написания:

TK8A60DA(QM), TK8A60DA(Q M)