Datasheet TK8A60DA(Q,M) - Toshiba Даташит Полевой транзистор, N CH, 600 В, 7.5 А, SC-67 — Даташит

Toshiba TK8A60DA(Q,M)

Наименование модели: TK8A60DA(Q,M)

Купить TK8A60DA(Q,M) на РадиоЛоцман.Цены — от 12 до 158 ₽ 18 предложений от 14 поставщиков МОП-Транзистор TO-220F-3 МОП-Транзистор
Microfind Россия	TK8A60DA(STA4,X,S) Toshiba	37 ₽
Lixinc Electronics Весь мир	TK8A60DA(STA4,Q,M)	131 ₽
Кремний Россия и страны СНГ	TK8A60DA	по запросу
Стандарт СИЗ Россия	TK8A60DA (ST-STP6NK60Z)	по запросу

AC-DC источники питания Mean Well на DIN рейку

Подробное описание

Производитель: Toshiba

Описание: Полевой транзистор, N CH, 600 В, 7.5 А, SC-67

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
TK8A60DA
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOS)
TK8A60DA
Switching Regulator Applications
· · · · Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 0.8 (typ.) High forward transfer admittance: Yfs = 4.0 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 600 V) Enhancement-mode: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) Unit: mm

Спецификации:

Полярность транзистора: N Channel
Drain Source Voltage Vds: 600 В
On State Resistance: 800 МОм
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
Voltage Vgs Max: 30 В
Корпус транзистора: SC-67
Количество выводов: 3
Current Id Max: 7.5 А
Power Dissipation Pd: 45 Вт

RoHS: Y-Ex

Дополнительные аксессуары:

AAVID THERMALLOY - 220SA
AAVID THERMALLOY - BW50-2G
ABL HEATSINKS - 205AB0500B
GC ELECTRONICS - 10-8108

Варианты написания:

TK8A60DA(QM), TK8A60DA(Q M)