Datasheet TSM1N60CP - Taiwan Semiconductor Даташит Полевой транзистор, N, 600 В, D-PAK — Даташит

Подробное описание

Производитель: Taiwan Semiconductor

Описание: Полевой транзистор, N, 600 В, D-PAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
TSM1N60
N-Channel Power Enhancement Mode MOSFET
Pin assignment: 1.

Gate 2. Drain 3. Source
VDS = 600V ID = 1A RDS (on), Vgs @ 10V, Ids @ 0.6A = 8
General Description

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 1 А
• Drain Source Voltage Vds: 600 В
• On State Resistance: 8 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 30 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
• Корпус транзистора: D-PAK
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Альтернативный тип корпуса: TO-252
• Код применяемости: GPSW
• Current Id Max: 1 А
• Current Temperature: 25°C
• External Depth: 10.5 мм
• Внешняя длина / высота: 2.55 мм
• Внешняя ширина: 6.8 мм
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Количество транзисторов: 1
• On State Resistance Max: 8 Ом
• Тип корпуса: DPAK
• Power Dissipation Pd: 50 Вт
• Pulse Current Idm: 9 А
• Reverse Recovery Time trr Typ: 21 нс
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
• Voltage Vds Typ: 600 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 4 В
• Voltage Vgs th Min: 2 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Fischer Elektronik - FK 244 08 D PAK
• Fischer Elektronik - FK 244 13 D PAK