Datasheet TSM1N60LCP - Taiwan Semiconductor Даташит Полевой транзистор, N, 600 В, D-PAK — Даташит
Наименование модели: TSM1N60LCP
Купить TSM1N60LCP на РадиоЛоцман.Цены — от 91 до 93 ₽ 11 предложений от 5 поставщиков МОП-транзистор 600V 1A N channel МОП-транзистор | |||
| TSM1N60LCP Taiwan Semiconductor | от 91 ₽ | ||
| TSM1N60LCP Taiwan Semiconductor | от 93 ₽ | ||
| TSM1N60LCP Taiwan Semiconductor | по запросу | ||
| TSM1N60LCP | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: Taiwan Semiconductor
Описание: Полевой транзистор, N, 600 В, D-PAK
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
TSM1N60L
600V N-Channel Power MOSFET
PRODUCT SUMMARY
Pin Definition: 1.
Gate 2. Drain 3. Source
TO-252
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 1 А
- Drain Source Voltage Vds: 600 В
- On State Resistance: 8 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 30 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
- Корпус транзистора: D-PAK
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Альтернативный тип корпуса: TO-252
- Avalanche Single Pulse Energy Eas: 20mJ
- Current Id Max: 1 А
- Current Temperature: 25°C
- External Depth: 10.5 мм
- Внешняя длина / высота: 2.55 мм
- Внешняя ширина: 6.8 мм
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Количество транзисторов: 1
- Тип корпуса: DPAK
- Power Dissipation Pd: 50 Вт
- Pulse Current Idm: 9 А
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
- Voltage Vds Typ: 600 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Voltage Vgs th Max: 4 В
- Voltage Vgs th Min: 2 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - FK 244 08 D PAK
- Fischer Elektronik - FK 244 13 D PAK
- Fischer Elektronik - WLK 5
