Datasheet TSM2301CX - Taiwan Semiconductor Даташит Полевой транзистор, P, 20 В, SOT-23 — Даташит
Наименование модели: TSM2301CX
![]() 11 предложений от 11 поставщиков МОП-транзистор 20V P channel МОП-транзистор | |||
TSM2301CX Taiwan Semiconductor | 27 ₽ | ||
TSM2301CX Taiwan Semiconductor | по запросу | ||
TSM2301CX RF | по запросу | ||
TSM2301CX Taiwan Semiconductor | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Taiwan Semiconductor
Описание: Полевой транзистор, P, 20 В, SOT-23
Краткое содержание документа:
TSM2301
-20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Pin assignment: 1.
Gate 2. Source 3. Drain
VDS = -20V RDS (on), Vgs @ -4.5V, Ids @ -2.8A =130m RDS (on), Vgs @ -2.5V, Ids @ -2.0A =190m
Features
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: 2.3 А
- Drain Source Voltage Vds: 20 В
- On State Resistance: 65 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
- Voltage Vgs Max: -8 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
- Корпус транзистора: SOT-23
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Current Id Max: -2.3 А
- On State Resistance @ Vgs = 2.5V: 122 МОм
- On State Resistance @ Vgs = 4.5V: 95 МОм
- Тип корпуса: SOT-23
- Power Dissipation Pd: 1.25 Вт
- Pulse Current Idm: 10 А
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: -450 мВ
- Voltage Vds Typ: -20 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В
- Voltage Vgs th Min: -0.45 В
RoHS: есть