Datasheet TSM2302CX - Taiwan Semiconductor Даташит Полевой транзистор, N, 20 В, SOT-23 — Даташит
Наименование модели: TSM2302CX
![]() 45 предложений от 18 поставщиков Power Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 20V, 0.065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, COMPACT PACKAGE-3 | |||
TSM2302CX RFG Taiwan Semiconductor | от 29 ₽ | ||
TSM2302CX Taiwan Semiconductor | 60 ₽ | ||
TSM2302CX RF | по запросу | ||
TSM2302CX Taiwan Semiconductor | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Taiwan Semiconductor
Описание: Полевой транзистор, N, 20 В, SOT-23
Краткое содержание документа:
TSM2302
20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
VDS = 20V RDS (on), Vgs @ 4.5V, Ids @ 3.6A = 65m RDS (on), Vgs @ 2.5V, Ids @ 3.1A = 95m
Pin assignment: 1.
Gate 2. Source 3. Drain
Features
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 2.4 А
- Drain Source Voltage Vds: 20 В
- On State Resistance: 65 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
- Voltage Vgs Max: 8 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
- Корпус транзистора: SOT-23
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Current Id Max: 2.4 А
- Тип корпуса: SOT-23
- Power Dissipation Pd: 250 мВт
- Pulse Current Idm: 10 А
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: 450 мВ
- Voltage Vds Typ: 20 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В
- Voltage Vgs th Min: 0.45 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- LICEFA - V11-7-6-10
- LICEFA - V11-7
- Roth Elektronik - RE901