Datasheet TSM4ND50CP - Taiwan Semiconductor Даташит Полевой транзистор, N CH, 500 В, 3 А, TO252 — Даташит
Наименование модели: TSM4ND50CP
MOSFET, N CH, 500V, 3A, TO252; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 3A; Drain Source Voltage... | |||
| TSM4ND50CP RO Taiwan Semiconductor | по запросу | ||
| TSM4ND50CP Taiwan Semiconductor | по запросу | ||
| TSM4ND50CP Taiwan Semiconductor | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: Taiwan Semiconductor
Описание: Полевой транзистор, N CH, 500 В, 3 А, TO252
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
TSM4ND50
500V N-Channel Power MOSFET
TO-252
Pin Definition: 1.
Gate 2. Drain 3. Source
PRODUCT SUMMARY VDS (V)
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 3 А
- Drain Source Voltage Vds: 500 В
- On State Resistance: 2.3 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 30 В
- Корпус транзистора: TO-252
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
- Power Dissipation Pd: 45 Вт
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Analog Devices - ADP3623ARDZ-RL
- Electrolube - SMA10SL
- MULTICORE (SOLDER) - 1399075-M
