Datasheet TSM7N65CI - Taiwan Semiconductor Даташит Полевой транзистор, N CH, 650 В, 7 А, ITO220 — Даташит
Наименование модели: TSM7N65CI
Mosfet, N Channel, 650V, 7A, ITO220 | |||
TSM7N65CI Taiwan Semiconductor | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Taiwan Semiconductor
Описание: Полевой транзистор, N CH, 650 В, 7 А, ITO220
Краткое содержание документа:
TSM7N65
650V N-Channel Power MOSFET
ITO-220 TO-220
Pin Definition: 1.
Gate 2. Drain 3. Source
PRODUCT SUMMARY VDS (V)
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 7 А
- Drain Source Voltage Vds: 650 В
- On State Resistance: 1 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 30 В
- Корпус транзистора: ITO-220
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
- Power Dissipation Pd: 30 Вт
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Analog Devices - ADP3623ARDZ-RL
- MULTICORE (SOLDER) - 1399075-M