Datasheet Texas Instruments CSD17304Q3 — Даташит
| Производитель | Texas Instruments |
| Серия | CSD17304Q3 |
| Модель | CSD17304Q3 |
N-канальный силовой МОП-транзистор NexFET™, 30 В 8-VSON-CLIP от -55 до 150
Datasheets
30V N-Channel NexFET Power MOSFET, CSD17304Q3 datasheet
PDF, 367 Кб, Версия: A, Файл опубликован: 29 сен 2010
Выписка из документа
Цены
 Купить CSD17304Q3 на РадиоЛоцман.Цены — от 9.86 до 134 ₽35 предложений от 19 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 30 В, 56 А, 0.0059 Ом, VSON, Surface Mount | |||
| CSD17304Q3 Texas Instruments | 29 ₽ | ||
| CSD17304Q3 Texas Instruments | 37 ₽ | ||
| CSD17304Q3 Texas Instruments | от 66 ₽ | ||
| CSD17304Q3 Texas Instruments | 127 ₽ | ||
Статус
| Статус продукта | В производстве (Рекомендуется для новых разработок) |
| Доступность образцов у производителя | Да |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| Pin | 8 |
| Package Type | DQG |
| Package QTY | 2500 |
| Carrier | LARGE T&R |
| Маркировка | CSD17304 |
| Width (мм) | 3.3 |
| Length (мм) | 3.3 |
| Thickness (мм) | 1 |
| Mechanical Data | Скачать |
Параметры
| Configuration | Single |
| ID, Silicon limited at Tc=25degC | 56 A |
| IDM, Max Pulsed Drain Current(Max) | 88 A |
| Корпус | SON3x3 мм |
| QG Typ | 5.1 nC |
| QGD Typ | 1.1 nC |
| RDS(on) Typ at VGS=4.5V | 6.9 mOhm |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V | 8.8 mOhms |
| VDS | 30 В |
| VGS | 10 В |
| VGSTH Typ | 1.3 В |
Экологический статус
| RoHS | Совместим |
| Бессвинцовая технология (Pb Free) | Да |
Комплекты разработчика и оценочные наборы
- Evaluation Modules & Boards: TPS65090EVM
Frontend PMU With Switchmode Charger for 2-3 Cells In Series Evaluation Module Board
Статус продукта: В производстве (Рекомендуется для новых разработок)
Application Notes
- Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETsPDF, 1.4 Мб, Файл опубликован: 16 ноя 2011
Классификация производителя
- Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > N-Channel MOSFET Transistor
