Datasheet Texas Instruments CSD17309Q3 — Даташит
| Производитель | Texas Instruments |
| Серия | CSD17309Q3 |
| Модель | CSD17309Q3 |
N-канальный силовой МОП-транзистор NexFET™ 30 В 8-VSON-CLIP от -55 до 150
Datasheets
CSD17309Q3 30-V N-Channel NexFET Power MOSFET datasheet
PDF, 411 Кб, Версия: B, Файл опубликован: 9 сен 2011
Выписка из документа
Цены
 Купить CSD17309Q3 на РадиоЛоцман.Цены — от 13 до 255 ₽34 предложений от 20 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 30 В, 60 А, 0.0042 Ом, VSON, Surface Mount | |||
| CSD17309Q3 Texas Instruments | от 13 ₽ | ||
| CSD17309Q3 Texas Instruments | 101 ₽ | ||
| CSD17309Q3 Texas Instruments | от 114 ₽ | ||
| CSD17309Q3 Texas Instruments | 118 ₽ | ||
Статус
| Статус продукта | В производстве (Рекомендуется для новых разработок) |
| Доступность образцов у производителя | Да |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| Pin | 8 |
| Package Type | DQG |
| Package QTY | 2500 |
| Carrier | LARGE T&R |
| Маркировка | CSD17309 |
| Width (мм) | 3.3 |
| Length (мм) | 3.3 |
| Thickness (мм) | 1 |
| Mechanical Data | Скачать |
Параметры
| Configuration | Single |
| IDM, Max Pulsed Drain Current(Max) | 112 A |
| Корпус | SON3x3 мм |
| QG Typ | 7.5 nC |
| QGD Typ | 1.7 nC |
| RDS(on) Typ at VGS=4.5V | 4.9 mOhm |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V | 6.3 mOhms |
| VDS | 30 В |
| VGS | 10 В |
| VGSTH Typ | 1.2 В |
Экологический статус
| RoHS | Совместим |
| Бессвинцовая технология (Pb Free) | Да |
Комплекты разработчика и оценочные наборы
- Evaluation Modules & Boards: TPS65983EVM
TPS65983 USB Type-C and USB PD Controller Power Switch and High-Speed Multiplexer Evaluation Module
Статус продукта: В производстве (Рекомендуется для новых разработок) - Evaluation Modules & Boards: TPS65982-EVM
TPS65982 USB Type-C & USB PD Controller Power Switch & High Speed Multiplexer EVM
Статус продукта: В производстве (Рекомендуется для новых разработок) - Evaluation Modules & Boards: DLPDLCR4710EVM-G2
Full HD DLP4710 Chipset Evaluation Module
Статус продукта: В производстве (Рекомендуется для новых разработок)
Application Notes
- Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETsPDF, 1.4 Мб, Файл опубликован: 16 ноя 2011
Классификация производителя
- Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > N-Channel MOSFET Transistor
