Datasheet TSM2N7002CX - Taiwan Semiconductor Даташит Полевой транзистор, N, 60 В, SOT-23 — Даташит
Наименование модели: TSM2N7002CX
6 предложений от 6 поставщиков Small Signal Field-Effect Transistor, 0.3A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 | |||
| TSM2N7002CX RF | по запросу | ||
| TSM2N7002CX Taiwan Semiconductor | по запросу | ||
| TSM2N7002CX Taiwan Semiconductor | по запросу | ||
| TSM2N7002CX Taiwan Semiconductor | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: Taiwan Semiconductor
Описание: Полевой транзистор, N, 60 В, SOT-23
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
TSM2N7002
60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Pin assignment: 1.
Gate 2. Source 3. Drain
VDS = 60V RDS (on), Vgs @ 10V, Ids @ 500mA = 7.5 RDS (on), Vgs @ 5V, Ids @ 50mA = 13.5
Features
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 115 мА
- Drain Source Voltage Vds: 60 В
- On State Resistance: 7.5 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
- Корпус транзистора: SOT-23
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Current Id Max: 115 мА
- Тип корпуса: SOT-23
- Power Dissipation Pd: 225 мВт
- Pulse Current Idm: 800 мА
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: 2.5 В
- Voltage Vds Typ: 60 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть
