Datasheet VS-FB180SA10P - Vishay Даташит Полевой транзистор, N, SOT-227 — Даташит
Наименование модели: VS-FB180SA10P
МОП-транзистор N-Chan 100V 180 Amp | |||
VS-FB180SA10P,Nкан 100В 180А SOT227 Vishay | 43 191 ₽ | ||
VS-FB180SA10P Vishay | по запросу | ||
VS-FB180SA10P | по запросу | ||
VS-FB180SA10P Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, N, SOT-227
Краткое содержание документа:
PD- 91651C
FB180SA10
HEXFET® Power MOSFET
l l l l l l l l
Fully Isolated Package Easy to Use and Parallel Very Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating Fully Avalanche Rated Simple Drive Requirements Low Drain to Case Capacitance Low Internal Inductance
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 180 А
- Drain Source Voltage Vds: 100 В
- On State Resistance: 6.5 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 4 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: ISOTOP
- Количество выводов: 4
- Current Id Max: 180 А
- Current Temperature: 25°C
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Количество транзисторов: 1
- Тип корпуса: ISOTOP
- Power Dissipation Pd: 480 Вт
- Pulse Current Idm: 720 А
- Способ монтажа: Screw
- Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
- Voltage Vds Typ: 100 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Voltage Vgs th Max: 4 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Panasonic - EYGA121807A
- SCHRODER - 20900
Варианты написания:
VSFB180SA10P, VS FB180SA10P