Datasheet IRFP460LCPBF - Vishay Даташит N CHANNEL полевой транзистор, 500 В, 20 А, TO-247 — Даташит

Купить IRFP460LCPBF на РадиоЛоцман.Цены — от 24 до 1 570 ₽ 62 предложений от 29 поставщиков Транзисторы полевые.Тип: MOSFETТип проводимости: NМаксимальное напряжение сток-исток, В: 500Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 20Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 270Емкость, пФ:...
727GS Весь мир	IRFP460LCPBF Vishay	24 ₽	Купить
ЧипСити Россия	IRFP460LCPBF International Rectifier	157 ₽	Купить
Элрус Россия	IRFP460LCPBF Vishay	от 214 ₽	Купить
Онлайн Компоненты Россия	IRFP460LCPBF Vishay	от 1 570 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: N CHANNEL полевой транзистор, 500 В, 20 А, TO-247

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 9.1232
IRFP460LC
HEXFET ® Power MOSFET
Ultra Low Gate Charge Reduced Gate Drive Requirement Enhanced 30V V gs Rating Reduced C iss, Coss, Crss Isolated Central Mounting Hole Dynamic dv/dt Rated Repetitive Avalanche Rated Description
This new series of Low Charge HEXFET Power MOSFETs achieve significantly lower gate charge over conventional MOSFETs.

Utilizing advanced Hexfet technology the device improvements allow for reduced gate drive requirements, faster switching speeds and increased total system savings. These device improvements combined with the proven ruggedness and reliability of HEXFETs offer the designer a new standard in power transistors for switching applications. The TO-247 package is preferred for commercial-industrial applications where higher power levels preclude the use of TO-220 devices. The TO-247 is similar but superior to the earlier TO-218 package because of its isolated mounting hole.

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 20 А
• Drain Source Voltage Vds: 500 В
• On Resistance Rds(on): 270 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В

RoHS: есть