Datasheet SI1071X-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, P CH, 30 В, 0.96 А, диод, SC-89

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, P CH, 30 В, 0.96 А, диод, SC-89

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si1071X
Vishay Siliconix
P-Channel 30 V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) - 30 RDS(on) () 0.167 at VGS = - 10 V 0.188 at VGS = - 4.5 V 0.244 at VGS = - 2.5 V ID (A) 0.96 0.90 0.79 3.25 Qg (Typ.)

Спецификации:

• Полярность транзистора: P Channel
• Drain Source Voltage Vds: -30 В
• On State Resistance: 0.139 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
• Voltage Vgs Max: -12 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SC-89
• Количество выводов: 6
• Current Id Max: -960 мА
• Power Dissipation Pd: 236 мВт

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• CHEMTRONICS - CW8400
• Electrolube - SMA10SL

Варианты написания:

SI1071XT1GE3, SI1071X T1 GE3

На английском языке: Datasheet SI1071X-T1-GE3 - Vishay MOSFET, P CH, 30 V, 0.96 A, DIODE, SC-89

SI1071X-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены

MOSFET P-CH 30V 960MA SC89-6

Поставщик	Производитель	Цена
ЭИК	Vishay	по запросу
T-electron	Vishay	по запросу
ТаймЧипс	Vishay	по запросу