Datasheet SI2301BDS-T1-E3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, P, SOT-23 — Даташит
Наименование модели: SI2301BDS-T1-E3
![]() 47 предложений от 26 поставщиков Труба MOS, MOSFET; P-Ch; VDSS -20V; RDS(ON) 0.08Ω; ID -2.2A; TO-236 (SOT-23); PD 0.7W; VGS +/-8V | |||
SI2301BDS-T1-E3 Vishay | 9.62 ₽ | ||
SI2301BDS-T1-E3 Vishay | от 12 ₽ | ||
SI2301BDS-T1-E3 Vishay | 15 ₽ | ||
SI2301BDS-T1-E3 Vishay | 17 ₽ |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, P, SOT-23
Краткое содержание документа:
Si2301BDS
Vishay Siliconix
P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) - 20 RDS(on) () 0.100 at VGS = - 4.5 V 0.150 at VGS = - 2.5 V ID (A)b - 2.4 - 2.0
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: -2.4 А
- Drain Source Voltage Vds: -20 В
- On Resistance Rds(on): 100 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: -950 мВ
- Рассеиваемая мощность: 900 мВт
- Корпус транзистора: SOT-23
- Количество выводов: 3
- Current Id Max: -2.2 А
- Маркировка: SI2301BDS
- Тип корпуса: SOT-23
- Pulse Current Idm: 10 А
- Способ монтажа: SMD
- Voltage Vds Typ: -20 В
- Voltage Vgs Max: -950 мВ
- Voltage Vgs Rds on Measurement: -4.5 В
RoHS: есть
Варианты написания:
SI2301BDST1E3, SI2301BDS T1 E3