Источники питания Keen Side

Datasheet SI2301BDS-T1-E3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, P, SOT-23 — Даташит

Vishay SI2301BDS-T1-E3

Наименование модели: SI2301BDS-T1-E3

47 предложений от 26 поставщиков
Труба MOS, MOSFET; P-Ch; VDSS -20V; RDS(ON) 0.08Ω; ID -2.2A; TO-236 (SOT-23); PD 0.7W; VGS +/-8V
ChipWorker
Весь мир
SI2301BDS-T1-E3
Vishay
9.62 ₽
Элрус
Россия
SI2301BDS-T1-E3
Vishay
от 12 ₽
AiPCBA
Весь мир
SI2301BDS-T1-E3
Vishay
15 ₽
Триема
Россия
SI2301BDS-T1-E3
Vishay
17 ₽

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, P, SOT-23

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si2301BDS
Vishay Siliconix
P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) - 20 RDS(on) () 0.100 at VGS = - 4.5 V 0.150 at VGS = - 2.5 V ID (A)b - 2.4 - 2.0

Спецификации:

  • Полярность транзистора: P Channel
  • Continuous Drain Current Id: -2.4 А
  • Drain Source Voltage Vds: -20 В
  • On Resistance Rds(on): 100 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: -950 мВ
  • Рассеиваемая мощность: 900 мВт
  • Корпус транзистора: SOT-23
  • Количество выводов: 3
  • Current Id Max: -2.2 А
  • Маркировка: SI2301BDS
  • Тип корпуса: SOT-23
  • Pulse Current Idm: 10 А
  • Способ монтажа: SMD
  • Voltage Vds Typ: -20 В
  • Voltage Vgs Max: -950 мВ
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: -4.5 В

RoHS: есть

Варианты написания:

SI2301BDST1E3, SI2301BDS T1 E3

На английском языке: Datasheet SI2301BDS-T1-E3 - Vishay MOSFET, P, SOT-23

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка