Datasheet SI2305DS-T1-E3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, P, TO-236 — Даташит

Купить SI2305DS-T1-E3 на РадиоЛоцман.Цены — от 6.49 до 667 ₽ 23 предложений от 18 поставщиков Транзистор: P-MOSFET; полевой; -8В; -2,8А; 1,25Вт; SOT23
AiPCBA Весь мир	SI2305DS-T1-E3 Vishay	14 ₽	Купить
ТМ Электроникс Россия	SI2305DS-T1-E3 Vishay	от 138 ₽	Купить
T-electron Россия и страны СНГ	SI2305DS-T1-E3 Vishay	667 ₽	Купить
ЭлектроПласт- Екатеринбург Россия	SI2305DST1E3PF Vishay	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, P, TO-236

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si2305DS
Vishay Siliconix
P-Channel 1.25-W, 1.8-V (G-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) -8 RDS(on) () 0.052 at VGS = - 4.5 V 0.071 at VGS = - 2.5 V 0.108 at VGS = - 1.8 V ID (A) ± 3.5 ±3 ±2

Спецификации:

• Полярность транзистора: P Channel
• Continuous Drain Current Id: -3.5 А
• Drain Source Voltage Vds: -8 В
• On Resistance Rds(on): 52 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: -800 мВ
• Рассеиваемая мощность: 1.25 Вт
• Корпус транзистора: TO-236
• Количество выводов: 3
• Current Id Max: 3.5 А
• Тип корпуса: TO-236
• Способ монтажа: SMD
• Voltage Vds Typ: -8 В
• Voltage Vgs Max: -800 мВ
• Voltage Vgs Rds on Measurement: -4.5 В

RoHS: есть

Варианты написания:

SI2305DST1E3, SI2305DS T1 E3