Datasheet SI2315BDS-T1-E3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, P, SOT-23 — Даташит
Наименование модели: SI2315BDS-T1-E3
![]() 30 предложений от 17 поставщиков Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -3А; 1,19Вт; SOT23 | |||
SI2315BDS-T1-E3 Vishay | 26 ₽ | ||
SI2315BDS-T1-E3 Vishay | от 42 ₽ | ||
SI2315BDS-T1-E3 Vishay | по запросу | ||
SI2315BDS-T1-E3 Siliconix | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, P, SOT-23
Краткое содержание документа:
Si2315BDS
Vishay Siliconix
P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) - 12 RDS(on) () 0.050 at VGS = - 4.5 V 0.065 at VGS = - 2.5 V 0.100 at VGS = - 1.8V ID (A) - 3.85 - 3.4 - 2.7
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: -3.85 А
- Drain Source Voltage Vds: -12 В
- On Resistance Rds(on): 50 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: -900 мВ
- Рассеиваемая мощность: 770 мВт
- Корпус транзистора: SOT-23
- Количество выводов: 3
- Current Id Max: -3 А
- Тип корпуса: SOT-23
- Способ монтажа: SMD
- Voltage Vds Typ: -12 В
- Voltage Vgs Max: 8 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: -4.5 В
RoHS: есть
Варианты написания:
SI2315BDST1E3, SI2315BDS T1 E3