Смарт-ЭК - поставщик алюминиевых корпусов LinTai

Datasheet SI2315BDS-T1-E3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, P, SOT-23 — Даташит

Vishay SI2315BDS-T1-E3

Наименование модели: SI2315BDS-T1-E3

30 предложений от 17 поставщиков
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -3А; 1,19Вт; SOT23
AiPCBA
Весь мир
SI2315BDS-T1-E3
Vishay
26 ₽
SI2315BDS-T1-E3
Vishay
от 42 ₽
Augswan
Весь мир
SI2315BDS-T1-E3
Vishay
по запросу
Контест
Россия
SI2315BDS-T1-E3
Siliconix
по запросу

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, P, SOT-23

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si2315BDS
Vishay Siliconix
P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) - 12 RDS(on) () 0.050 at VGS = - 4.5 V 0.065 at VGS = - 2.5 V 0.100 at VGS = - 1.8V ID (A) - 3.85 - 3.4 - 2.7

Спецификации:

  • Полярность транзистора: P Channel
  • Continuous Drain Current Id: -3.85 А
  • Drain Source Voltage Vds: -12 В
  • On Resistance Rds(on): 50 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: -900 мВ
  • Рассеиваемая мощность: 770 мВт
  • Корпус транзистора: SOT-23
  • Количество выводов: 3
  • Current Id Max: -3 А
  • Тип корпуса: SOT-23
  • Способ монтажа: SMD
  • Voltage Vds Typ: -12 В
  • Voltage Vgs Max: 8 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: -4.5 В

RoHS: есть

Варианты написания:

SI2315BDST1E3, SI2315BDS T1 E3

На английском языке: Datasheet SI2315BDS-T1-E3 - Vishay MOSFET, P, SOT-23

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка