Datasheet SI2319CDS-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, P CH, 40 В, 4.4 А, диод, SOT23 — Даташит
Наименование модели: SI2319CDS-T1-GE3
![]() 49 предложений от 21 поставщиков Силовой МОП-транзистор, P Канал, 40 В, 4.4 А, 0.064 Ом, SOT-23, Surface Mount | |||
SI2319CDS-T1-GE3 VBSEMI SOT23 | от 4.32 ₽ | ||
SI2319CDS-T1-GE3 Vishay | от 19 ₽ | ||
SI2319CDS-T1-GE3 Vishay | от 50 ₽ | ||
SI2319CDS-T1-GE3 Murata | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, P CH, 40 В, 4.4 А, диод, SOT23
Краткое содержание документа:
Si2319CDS
Vishay Siliconix
P-Channel 40 V (D-S) MOSFET
FEATURES
ID (A)a - 4.4 7 nC - 3.7 Qg (Typ.)
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Drain Source Voltage Vds: -40 В
- On State Resistance: 0.064 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
- Voltage Vgs Max: -20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOT-23
- Количество выводов: 3
- Current Id Max: -3.1 А
- Power Dissipation Pd: 1.25 Вт
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Electrolube - SMA10SL
Варианты написания:
SI2319CDST1GE3, SI2319CDS T1 GE3