HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheet SI2319DS-T1-E3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, P CH, 40 В, 2.3 А, SOT23-3 — Даташит

Vishay SI2319DS-T1-E3

Наименование модели: SI2319DS-T1-E3

29 предложений от 13 поставщиков
Транзистор полевой P-канальный 40В 2.3A 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Akcel
Весь мир
SI2319DS-T1-E3
Vishay
от 14 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
SI2319DS-T1-E3
Vishay
30 ₽
AiPCBA
Весь мир
SI2319DS-T1-E3
Vishay
30 ₽
Триема
Россия
SI2319DS-T1-E3
Vishay
50 ₽
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, P CH, 40 В, 2.3 А, SOT23-3

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si2319DS
Vishay Siliconix
P-Channel 40-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) - 40 RDS(on) () 0.082 at VGS = - 10 V 0.130 at VGS = - 4.5 V ID (A)b - 3.0 - 2.4

Спецификации:

  • Полярность транзистора: P Channel
  • Drain Source Voltage Vds: -40 В
  • On State Resistance: 65 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
  • Voltage Vgs Max: -20 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: SOT-23
  • Количество выводов: 3
  • Current Id Max: -2.3 А
  • Power Dissipation Pd: 750 мВт

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • CHEMTRONICS - CW8400
  • EREM - 00SA
  • MULTICORE (SOLDER) - 698840
  • Roth Elektronik - RE901

Варианты написания:

SI2319DST1E3, SI2319DS T1 E3

На английском языке: Datasheet SI2319DS-T1-E3 - Vishay MOSFET, P CH, 40 V, 2.3 A, SOT23-3

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России