Datasheet SI2323DS-T1-E3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, P, SOT-23 — Даташит
Наименование модели: SI2323DS-T1-E3
![]() 47 предложений от 22 поставщиков Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,8А; Idm: -20А; 1,25Вт; SOT23 | |||
SI2323DS-T1-E3 Vishay | от 32 ₽ | ||
SI2323DS-T1-E3 | 41 ₽ | ||
SI2323DS-T1-E3B | по запросу | ||
SI2323DS-T1-E3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, P, SOT-23
Краткое содержание документа:
Si2323DS
Vishay Siliconix
P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) - 20 RDS(on) () 0.039 at VGS = - 4.5 V 0.052 at VGS = - 2.5 V 0.068 at VGS = - 1.8 V ID (A) - 4.7 - 4.1 - 3.5
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: -4.7 А
- Drain Source Voltage Vds: -20 В
- On Resistance Rds(on): 39 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: -1 В
- Рассеиваемая мощность: 1.25 Вт
- Корпус транзистора: SOT-23
- Количество выводов: 3
- Current Id Max: -4.7 А
- Тип корпуса: SOT-23
- Способ монтажа: SMD
- Voltage Vds Typ: -20 В
- Voltage Vgs Max: -1 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: -4.5 В
RoHS: есть
Варианты написания:
SI2323DST1E3, SI2323DS T1 E3