HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheet SI2323DS-T1-E3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, P, SOT-23 — Даташит

Vishay SI2323DS-T1-E3

Наименование модели: SI2323DS-T1-E3

31 предложений от 17 поставщиков
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,8А; Idm: -20А; 1,25Вт; SOT23
SI2323DS-T1-E3
Vishay
12 ₽
AiPCBA
Весь мир
SI2323DS-T1-E3
Vishay
25 ₽
ЧипСити
Россия
SI2323DS-T1-E3
Vishay
36 ₽
ЭИК
Россия
SI2323DS-T1-E3
Vishay
от 93 ₽
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, P, SOT-23

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si2323DS
Vishay Siliconix
P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) - 20 RDS(on) () 0.039 at VGS = - 4.5 V 0.052 at VGS = - 2.5 V 0.068 at VGS = - 1.8 V ID (A) - 4.7 - 4.1 - 3.5

Спецификации:

  • Полярность транзистора: P Channel
  • Continuous Drain Current Id: -4.7 А
  • Drain Source Voltage Vds: -20 В
  • On Resistance Rds(on): 39 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: -1 В
  • Рассеиваемая мощность: 1.25 Вт
  • Корпус транзистора: SOT-23
  • Количество выводов: 3
  • Current Id Max: -4.7 А
  • Тип корпуса: SOT-23
  • Способ монтажа: SMD
  • Voltage Vds Typ: -20 В
  • Voltage Vgs Max: -1 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: -4.5 В

RoHS: есть

Варианты написания:

SI2323DST1E3, SI2323DS T1 E3

На английском языке: Datasheet SI2323DS-T1-E3 - Vishay MOSFET, P, SOT-23

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России