Datasheet SI2351DS-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, P CH, 20 В, 2.8 А, SOT23-3 — Даташит
Наименование модели: SI2351DS-T1-GE3
![]() 11 предложений от 9 поставщиков Труба MOS, Trans MOSFET P-CH 20V 2.2A 3Pin SOT-23 T/R | |||
SI2351DS-T1-GE3 Vishay | 21 ₽ | ||
SI2351DS-T1-GE3 Vishay | от 39 ₽ | ||
SI2351DS-T1-GE3 Vishay | от 39 ₽ | ||
SI2351DS-T1-GE3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, P CH, 20 В, 2.8 А, SOT23-3
Краткое содержание документа:
Si2351DS
Vishay Siliconix
P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
MOSFET PRODUCT SUMMARY
VDS (V) - 20 RDS(on) () 0.115 at VGS = - 4.5 V 0.205 at VGS = - 2.5 V ID (A)a - 3.0 3.2 nC - 2.2 Qg (Typ.)
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Drain Source Voltage Vds: -20 В
- On State Resistance: 92 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
- Voltage Vgs Max: -12 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOT-23
- Количество выводов: 3
- Current Id Max: -2.2 А
- Power Dissipation Pd: 1 Вт
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- CHEMTRONICS - CW8400
- EREM - 00SA
- MULTICORE (SOLDER) - 698840
- Roth Elektronik - RE901
Варианты написания:
SI2351DST1GE3, SI2351DS T1 GE3