Datasheet SI4431BDY-T1-E3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N, 8-SOIC — Даташит

Купить SI4431BDY-T1-E3 на РадиоЛоцман.Цены — от 11 до 649 ₽ 42 предложений от 21 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные
AllElco Electronics Весь мир	SI4431BDY-T1-E3	от 11 ₽	Купить
ЧипСити Россия	SI4431BDY-T1-E3 Vishay	25 ₽	Купить
Компонентс Ру Россия	SI4431BDY-T1-E3 Vishay	от 107 ₽	Купить
Контест Россия	SI4431BDY-T1-E3 Siliconix	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N, 8-SOIC

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si4431DY
Vishay Siliconix
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) rDS(on) (W) 0.040 @ VGS = ­10 V ­30 30 0.070 @ VGS = ­4.5 V ID (A) "5.8 "4.5

Спецификации:

• Полярность транзистора: P Channel
• Continuous Drain Current Id: 5.8 А
• Drain Source Voltage Vds: -30 В
• On Resistance Rds(on): 40 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
• Рассеиваемая мощность: 2.5 Вт
• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8
• Current Id Max: 5.8 А
• Тип корпуса: 8-SOIC
• Способ монтажа: SMD
• Voltage Vds Typ: -30 В
• Voltage Vgs Max: -3 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: -10 В

RoHS: есть

Варианты написания:

SI4431BDYT1E3, SI4431BDY T1 E3