Datasheet SI4431BDY-T1-E3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N, 8-SOIC — Даташит
Наименование модели: SI4431BDY-T1-E3
![]() 37 предложений от 19 поставщиков Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -5,7А; Idm: -30А; 0,9Вт; SO8 | |||
SI4431BDY-T1-E3 Vishay | от 31 ₽ | ||
SI4431BDY-T1-E3 Vishay | 45 ₽ | ||
SI4431BDY-T1-E3 Vishay | от 74 ₽ | ||
SI4431BDY-T1-E3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, N, 8-SOIC
Краткое содержание документа:
Si4431DY
Vishay Siliconix
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) rDS(on) (W) 0.040 @ VGS = 10 V 30 30 0.070 @ VGS = 4.5 V ID (A) "5.8 "4.5
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: 5.8 А
- Drain Source Voltage Vds: -30 В
- On Resistance Rds(on): 40 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
- Рассеиваемая мощность: 2.5 Вт
- Корпус транзистора: SOIC
- Количество выводов: 8
- Current Id Max: 5.8 А
- Тип корпуса: 8-SOIC
- Способ монтажа: SMD
- Voltage Vds Typ: -30 В
- Voltage Vgs Max: -3 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: -10 В
RoHS: есть
Варианты написания:
SI4431BDYT1E3, SI4431BDY T1 E3