Datasheet SI4431CDY-T1-GE3 - Vishay Даташит P CHANNEL полевой транзистор, -30 В, 9 А, SOIC — Даташит

Наименование модели: SI4431CDY-T1-GE3
44 предложений от 17 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные | |||
| SI4431CDY-T1-GE3 Vishay | от 77 ₽ | ||
| SI4431CDY-T1-GE3 Vishay | от 77 ₽ | ||
| SI4431CDY-T1-GE3 Vishay | по запросу | ||
| SI4431CDY-T1-GE3 Vishay | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: P CHANNEL полевой транзистор, -30 В, 9 А, SOIC
Краткое содержание документа:
New Product
Si4431CDY
Vishay Siliconix
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
FEATURES
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: -9 А
- Drain Source Voltage Vds: -30 В
- On Resistance Rds(on): 0.049 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 20 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: -2.5 В
RoHS: Y-Ex
Варианты написания:
SI4431CDYT1GE3, SI4431CDY T1 GE3






