Datasheet SI4431CDY-T1-GE3 - Vishay Даташит P CHANNEL полевой транзистор, -30 В, 9 А, SOIC — Даташит
Наименование модели: SI4431CDY-T1-GE3
![]() 36 предложений от 16 поставщиков Силовой МОП-транзистор, P Канал, 30 В, 9 А, 0.026 Ом, SOIC, Surface Mount | |||
SI4431CDY-T1-GE3 Vishay | от 24 ₽ | ||
SI4431CDY-T1-GE3 Vishay | от 73 ₽ | ||
SI4431CDY-T1-GE3 Vishay | от 74 ₽ | ||
SI4431CDY-T1-GE3 Vishay | 671 ₽ |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: P CHANNEL полевой транзистор, -30 В, 9 А, SOIC
Краткое содержание документа:
New Product
Si4431CDY
Vishay Siliconix
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
FEATURES
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: -9 А
- Drain Source Voltage Vds: -30 В
- On Resistance Rds(on): 0.049 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 20 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: -2.5 В
RoHS: Y-Ex
Варианты написания:
SI4431CDYT1GE3, SI4431CDY T1 GE3