LinTai: качественные китайские корпуса и каркасы

Datasheet SI4431CDY-T1-GE3 - Vishay Даташит P CHANNEL полевой транзистор, -30 В, 9 А, SOIC — Даташит

Vishay SI4431CDY-T1-GE3

Наименование модели: SI4431CDY-T1-GE3

28 предложений от 13 поставщиков
Силовой МОП-транзистор, P Канал, 30 В, 9 А, 0.026 Ом, SOIC, Surface Mount
SI4431CDY-T1-GE3
Vishay
10 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
SI4431CDY-T1-GE3
Vishay
24 ₽
AiPCBA
Весь мир
SI4431CDY-T1-GE3
Vishay
40 ₽
ChipWorker
Весь мир
SI4431CDY-T1-GE3
Vishay
41 ₽
Сравнительное тестирование аккумуляторов EVE Energy и Samsung типоразмера 18650

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: P CHANNEL полевой транзистор, -30 В, 9 А, SOIC

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
New Product
Si4431CDY
Vishay Siliconix
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
FEATURES

Данные для моделированияДанные для моделирования

Спецификации:

  • Полярность транзистора: P Channel
  • Continuous Drain Current Id: -9 А
  • Drain Source Voltage Vds: -30 В
  • On Resistance Rds(on): 0.049 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 20 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: -2.5 В

RoHS: Y-Ex

Варианты написания:

SI4431CDYT1GE3, SI4431CDY T1 GE3

На английском языке: Datasheet SI4431CDY-T1-GE3 - Vishay P CHANNEL MOSFET, -30 V, 9 A, SOIC

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России