Datasheet SI4463BDY-T1-E3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, P, SOIC — Даташит

Купить SI4463BDY-T1-E3 на РадиоЛоцман.Цены — от 19 до 623 ₽ 30 предложений от 14 поставщиков Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -9,8А; Idm: -50А; 0,95Вт; SO8
AllElco Electronics Весь мир	SI4463BDY-T1-E3	от 19 ₽	Купить
ТМ Электроникс Россия	SI4463BDY-T1-E3 Vishay	от 169 ₽	Купить
727GS Весь мир	SI4463BDY-T1-E3 Vishay	623 ₽	Купить
МосЧип Россия	SI4463BDY-T1-E3 Vishay	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, P, SOIC

Скачать Data Sheet

Спецификации:

• Полярность транзистора: P Channel
• Continuous Drain Current Id: 9.8 А
• Drain Source Voltage Vds: 20 В
• On State Resistance: 110 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 12 В
• Voltage Vgs Max: -1.4 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8
• Семейство: 4463
• Current Id Max: 13.7 А
• On State Resistance @ Vgs = 2.5V: 20 МОм
• On State Resistance @ Vgs = 4.5V: 14 МОм
• On State resistance @ Vgs = 10V: 11 МОм
• P Channel Gate Charge: 37nC
• Тип корпуса: SOIC
• Power Dissipation Pd: 1.5 Вт
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: -1.4 В
• Voltage Vds Typ: -20 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: -10 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Panasonic - EYGA091203SM
• Panasonic - EYGA121807A
• Roth Elektronik - RE932-01

Варианты написания:

SI4463BDYT1E3, SI4463BDY T1 E3