Datasheet SI4477DY-T1-GE3 - Vishay Даташит P CHANNEL полевой транзистор, -20 В, 26.6 А — Даташит
Наименование модели: SI4477DY-T1-GE3
![]() 39 предложений от 16 поставщиков Силовой МОП-транзистор, P Канал, 20 В, 26.6 А, 0.0051 Ом, SOIC, Surface Mount | |||
SI4477DY-T1-GE3 | от 16 ₽ | ||
SI4477DY-T1-GE3 Vishay | от 792 ₽ | ||
SI4477DY-T1-GE3 Vishay | по запросу | ||
SI4477DY-T1-GE3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: P CHANNEL полевой транзистор, -20 В, 26.6 А
Краткое содержание документа:
Si4477DY
Vishay Siliconix
P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
FEATURES
ID (A)d - 26.6 - 20.6 Qg (Typ.) 59 nC
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: -26.6 А
- Drain Source Voltage Vds: -20 В
- On Resistance Rds(on): 0.0062 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: -1.5 В
RoHS: есть
Варианты написания:
SI4477DYT1GE3, SI4477DY T1 GE3