Datasheet SI4532ADY-T1-E3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, сдвоенный, NP, SO-8 — Даташит
Наименование модели: SI4532ADY-T1-E3
![]() 20 предложений от 15 поставщиков Транзисторы - Двойные МОП-транзисторы | |||
SI4532ADY-T1-E3 Vishay | от 169 ₽ | ||
SI4532ADY-T1-E3 | 216 ₽ | ||
SI4532ADY-T1-E3 | по запросу | ||
SI4532ADY-T1-E3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, сдвоенный, NP, SO-8
Краткое содержание документа:
Si4532ADY
Vishay Siliconix
N- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) N-Channel P-Channel 30 - 30 RDS(on) () 0.053 at VGS = 10 V 0.075 at VGS = 4.5 V 0.080 at VGS = - 10 V 0.135 at VGS = - 4.5 V ID (A) 4.9 4.1 - 3.9 - 3.0
Спецификации:
- Полярность транзистора: N and P Channel
- Continuous Drain Current Id: 4.9 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 53 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1 В
- Рассеиваемая мощность: 1.13 Вт
- Корпус транзистора: SOIC
- Количество выводов: 8
- Current Id Max: 4.9 А
- Тип корпуса: SOIC
- Способ монтажа: SMD
- Voltage Vds Typ: 30 В
- Voltage Vgs Max: 1 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть
Варианты написания:
SI4532ADYT1E3, SI4532ADY T1 E3