Datasheet SI7121DN-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, P, PPAK1212 — Даташит
Наименование модели: SI7121DN-T1-GE3
![]() 27 предложений от 13 поставщиков Транзисторы - МОП-транзисторы | |||
SI7121DN-T1-GE3 Vishay | 86 ₽ | ||
SI7121DN-T1-GE3 Vishay | от 104 ₽ | ||
SI7121DN-T1-GE3 Vishay | от 114 ₽ | ||
SI7121DN-T1-GE3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, P, PPAK1212
Краткое содержание документа:
New Product
Si7121DN
Vishay Siliconix
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
FEATURES
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: 16 А
- Drain Source Voltage Vds: -30 В
- On Resistance Rds(on): 18 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 25 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: -3 В
- Рассеиваемая мощность: 52 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: PowerPAK 1212
- Количество выводов: 8
- SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
- Current Id Max: -16 А
- Температура перехода максимальная: 150°C
- Тип корпуса: PowerPAK
- Rise Time: 13 нс
- Способ монтажа: SMD
- Voltage Vds Typ: 30 В
- Voltage Vgs Max: -3 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Voltage Vgs th Max: 3 В
- Voltage Vgs th Min: 1 В
RoHS: есть
Варианты написания:
SI7121DNT1GE3, SI7121DN T1 GE3