Datasheet SI7431DP-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, P CH, диод, 200 В, 3.8 А, SO8 PPAK — Даташит
Наименование модели: SI7431DP-T1-GE3
![]() 31 предложений от 12 поставщиков Труба MOS, VISHAY SI7431DP-T1-GE3 MOSFET Transistor, P Channel, -2.2A, -200V, 145mohm, -10V, -4V | |||
SI7431DP-T1-GE3 Vishay | 150 ₽ | ||
SI7431DP-T1-GE3 Vishay | 286 ₽ | ||
SI7431DP-T1-GE3 Vishay | от 348 ₽ | ||
SI7431DP-T1-GE3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, P CH, диод, 200 В, 3.8 А, SO8 PPAK
Краткое содержание документа:
Si7431DP
Vishay Siliconix
P-Channel 200 V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) - 200 RDS(on) () 0.174 at VGS = - 10 V 0.180 at VGS = - 6 V ID (A) - 3.8 - 3.6 Qg (Typ.) 88
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Drain Source Voltage Vds: -200 В
- On State Resistance: 0.145 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
- Voltage Vgs Max: -20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOIC PowerPAK
- Количество выводов: 8
- Current Id Max: -3.8 А
- Power Dissipation Pd: 5.4 Вт
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Electrolube - SMA10SL
- Fischer Elektronik - FK 244 13 D2 PAK
Варианты написания:
SI7431DPT1GE3, SI7431DP T1 GE3