Datasheet SI7540DP-T1-E3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, сдвоенный, NP, 8-SOIC — Даташит
Наименование модели: SI7540DP-T1-E3
![]() 16 предложений от 13 поставщиков Труба MOS, VISHAY SI7540DP-T1-E3 Dual MOSFET, N and P Channel, 11.8A, 12V, 17mohm, 4.5V, 1.5V | |||
SI7540DP-T1-E3 Vishay | от 814 ₽ | ||
SI7540DP-T1-E3 Vishay | по запросу | ||
SI7540DP-T1-E3 Vishay | по запросу | ||
SI7540DP-T1-E3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, сдвоенный, NP, 8-SOIC
Краткое содержание документа:
Si7540DP
Vishay Siliconix
N- and P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) N-Channel 12 RDS(on) () 0.017 at VGS = 4.5 V 0.025 at VGS = 2.5 V 0.032 at VGS = - 4.5 V 0.053 at VGS = - 2.5 V ID (A) 11.8 9.8 - 8.9 - 6.9
Спецификации:
- Полярность транзистора: N and P Channel
- Continuous Drain Current Id: 11.8 А
- Drain Source Voltage Vds: 12 В
- On State Resistance: 17 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
- Voltage Vgs Max: 1.5 В
- Корпус транзистора: SOIC
- Количество выводов: 8
- Current Id Max: 11.8 А
- Тип корпуса: SOIC
- Power Dissipation Pd: 3.5 Вт
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.5 В
- Voltage Vds Typ: 12 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Electrolube - SMA10SL
- Roth Elektronik - RE932-01
- STANNOL - 631954
Варианты написания:
SI7540DPT1E3, SI7540DP T1 E3