Datasheet SIS407DN-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, P CH, диод, 20 В, 25 А, PPAK1212-8 — Даташит
Наименование модели: SIS407DN-T1-GE3
![]() 36 предложений от 14 поставщиков Силовой МОП-транзистор, P Канал, 20 В, 25 А, 0.0082 Ом, PowerPAK 1212, Surface Mount | |||
SIS407DN-T1-GE3 Vishay | от 39 ₽ | ||
SIS407DN-T1-GE3 Vishay | 54 ₽ | ||
SIS407DN-T1-GE3 Vishay | от 111 ₽ | ||
SIS407DN-T1-GE3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, P CH, диод, 20 В, 25 А, PPAK1212-8
Краткое содержание документа:
New Product
SiS407DN
Vishay Siliconix
P-Channel 20 V (D-S) MOSFET
FEATURES
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Drain Source Voltage Vds: -20 В
- On State Resistance: 8200µ Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
- Voltage Vgs Max: -8 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: PowerPAK 1212
- Количество выводов: 8
- Current Id Max: -15.4 А
- Power Dissipation Pd: 3.6 Вт
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- CHEMTRONICS - CW8400
- Electrolube - SMA10SL
Варианты написания:
SIS407DNT1GE3, SIS407DN T1 GE3