Datasheet SQ2319ES-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, P CH, Вт диод, 40 В, 4.6 А, SOT-23 — Даташит
Наименование модели: SQ2319ES-T1-GE3
![]() 11 предложений от 9 поставщиков Труба MOS, SOT-23P-CH 40V 3.3A | |||
SQ2319ES-T1-GE3 Vishay | 34 ₽ | ||
SQ2319ES-T1-GE3 Vishay | от 91 ₽ | ||
SQ2319ES-T1-GE3 Vishay | по запросу | ||
SQ2319ES-T1-GE3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, P CH, Вт диод, 40 В, 4.6 А, SOT-23
Краткое содержание документа:
New Product
SQ2319ES
Vishay Siliconix
Automotive P-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFET
PRODUCT SUMMARY
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: -4.6 А
- Drain Source Voltage Vds: -40 В
- On State Resistance: 0.061 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
- Voltage Vgs Max: -20 В
- Power Dissipation Pd: 3 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
- Корпус транзистора: TO-236
- Количество выводов: 3
RoHS: есть
Варианты написания:
SQ2319EST1GE3, SQ2319ES T1 GE3