Datasheet SQ4401EY-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, P CH, Вт диод, 40 В, 17.3 А, SO8 — Даташит
Наименование модели: SQ4401EY-T1-GE3
![]() 30 предложений от 15 поставщиков Силовой МОП-транзистор, P Канал, 40 В, 17.3 А, 0.011 Ом, SOIC, Surface Mount | |||
SQ4401EY-T1_GE3 | от 35 ₽ | ||
SQ4401EY-T1_GE3 Vishay | 297 ₽ | ||
SQ4401EYT1_GE3 | 7 422 ₽ | ||
SQ4401EY-T1-GE3 | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, P CH, Вт диод, 40 В, 17.3 А, SO8
Краткое содержание документа:
SQ4401EY
Vishay Siliconix
Automotive P-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) RDS(on) () at VGS = - 10 V RDS(on) () at VGS = - 4.5 V ID (A) Configuration - 40 0.014 0.023 - 17.3 Single
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: -17.3 А
- Drain Source Voltage Vds: -40 В
- On State Resistance: 0.011 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
- Voltage Vgs Max: -20 В
- Power Dissipation Pd: 7.14 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
- Корпус транзистора: SOIC
- Количество выводов: 8
RoHS: есть
Варианты написания:
SQ4401EYT1GE3, SQ4401EY T1 GE3