Datasheet SQD45P03-12-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, P CH, Вт диод, 30 В, 50 А, TO-252 — Даташит
Наименование модели: SQD45P03-12-GE3
![]() 29 предложений от 12 поставщиков Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -37А; 23Вт; DPAK | |||
SQD45P03-12_GE3 | от 21 ₽ | ||
SQD45P03-12-GE3 Vishay | от 55 ₽ | ||
SQD45P03-12_GE3 Vishay | 65 ₽ | ||
SQD45P03-12-GE3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, P CH, Вт диод, 30 В, 50 А, TO-252
Краткое содержание документа:
SQD45P03-12
Vishay Siliconix
Automotive P-Channel 30 V (D-S) 175 °C MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) RDS(on) () at VGS = - 10 V RDS(on) () at VGS = - 4.5 V ID (A) Configuration - 30 0.012 0.029 - 50 Single
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: -50 А
- Drain Source Voltage Vds: -30 В
- On State Resistance: 0.008 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
- Voltage Vgs Max: -20 В
- Power Dissipation Pd: 71 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
- Корпус транзистора: TO-252
- Количество выводов: 3
RoHS: есть
Варианты написания:
SQD45P0312GE3, SQD45P03 12 GE3