Смарт-ЭК - поставщик алюминиевых корпусов LinTai

Datasheet SQD50P04-09L-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, P CH, Вт диод, 40 В, 50 А, TO-252 — Даташит

Vishay SQD50P04-09L-GE3

Наименование модели: SQD50P04-09L-GE3

26 предложений от 13 поставщиков
, Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive 3Pin(2+Tab) DPAK T/R
727GS
Весь мир
SQD50P04-09L-GE3
Vishay
от 9.17 ₽
Lixinc Electronics
Весь мир
SQD50P04-09L-GE3
Vishay
от 9.17 ₽
ChipWorker
Весь мир
SQD50P04-09L-GE3
Vishay
94 ₽
Maybo
Весь мир
SQD50P04-09L_GE3
Vishay
228 ₽

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, P CH, Вт диод, 40 В, 50 А, TO-252

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SQD50P04-09L
Vishay Siliconix
Automotive P-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) RDS(on) () at VGS = - 10 V RDS(on) () at VGS = - 4.5 V ID (A) Configuration - 40 0.0094 0.0190 - 50 Single

Спецификации:

  • Полярность транзистора: P Channel
  • Continuous Drain Current Id: -50 А
  • Drain Source Voltage Vds: -40 В
  • On Resistance Rds(on): 0.0076 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
  • Рассеиваемая мощность: 136 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +175°C

  • Корпус транзистора: TO-252
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
  • Voltage Vgs Max: -20 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • Electrolube - SMA10SL

Варианты написания:

SQD50P0409LGE3, SQD50P04 09L GE3

На английском языке: Datasheet SQD50P04-09L-GE3 - Vishay MOSFET, P CH, W DIODE, 40 V, 50 A, TO-252

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка