Datasheet SQD50P04-09L-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, P CH, Вт диод, 40 В, 50 А, TO-252 — Даташит
Наименование модели: SQD50P04-09L-GE3
![]() 26 предложений от 13 поставщиков , Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive 3Pin(2+Tab) DPAK T/R | |||
SQD50P04-09L-GE3 Vishay | от 9.17 ₽ | ||
SQD50P04-09L-GE3 Vishay | от 9.17 ₽ | ||
SQD50P04-09L-GE3 Vishay | 94 ₽ | ||
SQD50P04-09L_GE3 Vishay | 228 ₽ |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, P CH, Вт диод, 40 В, 50 А, TO-252
Краткое содержание документа:
SQD50P04-09L
Vishay Siliconix
Automotive P-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) RDS(on) () at VGS = - 10 V RDS(on) () at VGS = - 4.5 V ID (A) Configuration - 40 0.0094 0.0190 - 50 Single
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: -50 А
- Drain Source Voltage Vds: -40 В
- On Resistance Rds(on): 0.0076 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
- Рассеиваемая мощность: 136 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
- Корпус транзистора: TO-252
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Voltage Vgs Max: -20 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Electrolube - SMA10SL
Варианты написания:
SQD50P0409LGE3, SQD50P04 09L GE3