Datasheet SQD50P04-13L-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, P CH, Вт диод, 40 В, 50 А, TO-252 — Даташит
Наименование модели: SQD50P04-13L-GE3
![]() 27 предложений от 13 поставщиков Труба MOS, Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive 3Pin(2+Tab) TO-252AA T/R | |||
SQD50P04-13L_GE3 Vishay | от 17 ₽ | ||
SQD50P04-13L-GE3 Vishay | 57 ₽ | ||
SQD50P04-13L-GE3 Vishay | от 314 ₽ | ||
SQD50P04-13L-GE3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, P CH, Вт диод, 40 В, 50 А, TO-252
Краткое содержание документа:
SQD50P04-13L
Vishay Siliconix
Automotive P-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) RDS(on) () at VGS = - 10 V RDS(on) () at VGS = - 4.5 V ID (A) Configuration - 40 0.013 0.022 - 50 Single
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: -50 А
- Drain Source Voltage Vds: -40 В
- On State Resistance: 0.01 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
- Voltage Vgs Max: -20 В
- Power Dissipation Pd: 83 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
- Корпус транзистора: TO-252
- Количество выводов: 3
RoHS: есть
Варианты написания:
SQD50P0413LGE3, SQD50P04 13L GE3