Datasheet SQJ461EP-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, P CH, Вт диод, 60 В, 30 А, POPAK8L — Даташит
Наименование модели: SQJ461EP-T1-GE3
![]() 34 предложений от 14 поставщиков Труба MOS, VISHAY SQJ461EP-T1-GE3 MOSFET Transistor, P Channel, -30A, -60V, 0.013Ω, -10V, -2V | |||
SQJ461EP-T1_GE3 Vishay | 230 ₽ | ||
SQJ461EP-T1_GE3 Vishay | 254 ₽ | ||
SQJ461EP-T1-GE3 Vishay | от 255 ₽ | ||
SQJ461EP-T1_GE3 Vishay | от 259 ₽ |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, P CH, Вт диод, 60 В, 30 А, POPAK8L
Краткое содержание документа:
SQJ461EP
Vishay Siliconix
Automotive P-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) RDS(on) () at VGS = - 10 V RDS(on) () at VGS = - 4.5 V ID (A) Configuration
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: -30 А
- Drain Source Voltage Vds: -60 В
- On State Resistance: 0.013 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
- Voltage Vgs Max: -20 В
- Power Dissipation Pd: 83 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
- Корпус транзистора: PowerPAK SO
- Количество выводов: 8
RoHS: есть
Варианты написания:
SQJ461EPT1GE3, SQJ461EP T1 GE3