Datasheet SQJ469EP-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, P CH, Вт диод, 80 В, 32 А, POPAK8L — Даташит
Наименование модели: SQJ469EP-T1-GE3
![]() 23 предложений от 13 поставщиков VISHAY SQJ469EP-T1-GE3 MOSFET Transistor, P Channel, -32 A, -80 V, 0.021 ohm, -10 V, -2 V | |||
SQJ469EP-T1_GE3 | от 38 ₽ | ||
SQJ469EP-T1_GE3 Vishay | 91 ₽ | ||
SQJ469EP-T1_GE3 Vishay | от 1 301 ₽ | ||
SQJ469EP-T1_GE3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, P CH, Вт диод, 80 В, 32 А, POPAK8L
Краткое содержание документа:
SQJ469EP
Vishay Siliconix
Automotive P-Channel 80 V (D-S) 175 °C MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) RDS(on) () at VGS = - 10 V RDS(on) () at VGS = - 6 V ID (A) Configuration
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: -32 А
- Drain Source Voltage Vds: -80 В
- On State Resistance: 0.021 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
- Voltage Vgs Max: -20 В
- Power Dissipation Pd: 100 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
- Корпус транзистора: PowerPAK SO
- Количество выводов: 8
RoHS: есть
Варианты написания:
SQJ469EPT1GE3, SQJ469EP T1 GE3