Datasheet SQJ469EP-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, P CH, Вт диод, 80 В, 32 А, POPAK8L — Даташит

Vishay SQJ469EP-T1-GE3

Наименование модели: SQJ469EP-T1-GE3

Купить SQJ469EP-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 174 до 10 108 ₽ 13 предложений от 9 поставщиков P-Channel 80 V 32A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
AiPCBA Весь мир	SQJ469EP-T1-GE3 Vishay	174 ₽
ChipWorker Весь мир	SQJ469EP-T1-GE3 Vishay	176 ₽
ЧипСити Россия	SQJ469EP-T1_GE3 Vishay	304 ₽
T-electron Россия и страны СНГ	SQJ469EPT1_GE3	10 108 ₽

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, P CH, Вт диод, 80 В, 32 А, POPAK8L

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SQJ469EP
Vishay Siliconix
Automotive P-Channel 80 V (D-S) 175 °C MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) RDS(on) () at VGS = - 10 V RDS(on) () at VGS = - 6 V ID (A) Configuration

Спецификации:

Полярность транзистора: P Channel
Continuous Drain Current Id: -32 А
Drain Source Voltage Vds: -80 В
On State Resistance: 0.021 Ом
Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
Voltage Vgs Max: -20 В
Power Dissipation Pd: 100 Вт
Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
Корпус транзистора: PowerPAK SO
Количество выводов: 8

RoHS: есть

Варианты написания:

SQJ469EPT1GE3, SQJ469EP T1 GE3