Datasheet SQS401EN-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, P CH, Вт диод, 40 В, 16 А, PP1212 — Даташит
Наименование модели: SQS401EN-T1-GE3
![]() 12 предложений от 12 поставщиков Силовой МОП-транзистор, P Канал, 40 В, 16 А, 0.02 Ом, PowerPAK 1212, Surface Mount | |||
SQS401EN-T1_GE3 Vishay | 27 ₽ | ||
SQS401EN-T1_GE3 Vishay | 42 ₽ | ||
SQS401EN-T1_GE3 Vishay | 248 ₽ | ||
SQS401EN-T1-GE3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, P CH, Вт диод, 40 В, 16 А, PP1212
Краткое содержание документа:
SQS401EN
Vishay Siliconix
Automotive P-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) RDS(on) () at VGS = - 10 V RDS(on) () at VGS = - 4.5 V ID (A) Configuration
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: -16 А
- Drain Source Voltage Vds: -40 В
- On State Resistance: 0.02 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
- Voltage Vgs Max: -20 В
- Power Dissipation Pd: 62.5 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
- Корпус транзистора: PowerPAK 1212
- Количество выводов: 8
RoHS: есть
Варианты написания:
SQS401ENT1GE3, SQS401EN T1 GE3