Datasheet SUD09P10-195-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, P CH, диод, 100 В, 8.8 А, TO-252 — Даташит
Наименование модели: SUD09P10-195-GE3
![]() 43 предложений от 17 поставщиков Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -8,8А; Idm: -15А; 32,1Вт; DPAK | |||
SUD09P10-195-GE3 Vishay | 41 ₽ | ||
SUD09P10-195-GE3 Vishay | от 43 ₽ | ||
SUD09P10-195-GE3 Vishay | от 65 ₽ | ||
SUD09P10-195-GE3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, P CH, диод, 100 В, 8.8 А, TO-252
Краткое содержание документа:
SUD09P10-195
Vishay Siliconix
P-Channel 100 V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) - 100 RDS(on) () 0.195 at VGS = - 10 V 0.210 at VGS = - 4.5 V ID (A) - 8.8 - 8.5 Qg (Typ.) 11.7
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Drain Source Voltage Vds: -100 В
- On State Resistance: 0.162 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
- Voltage Vgs Max: -20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: TO-252
- Количество выводов: 2
- Current Id Max: -8.8 А
- Power Dissipation Pd: 2.5 Вт
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Electrolube - SMA10SL
Варианты написания:
SUD09P10195GE3, SUD09P10 195 GE3