Реле Tianbo - ресурс 10 млн переключений

Datasheet SI2301BDS-T1-GE3 - Vishay Даташит P CH полевой транзистор — Даташит

Vishay SI2301BDS-T1-GE3

Наименование модели: SI2301BDS-T1-GE3

37 предложений от 17 поставщиков
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,2А; Idm: -10А; 0,45Вт; SOT23
SI2301BDS-T1-GE3-VB
от 4.38 ₽
ChipWorker
Весь мир
SI2301BDS-T1-GE3
Vishay
9.21 ₽
Триема
Россия
SI2301BDS-T1-GE3-VB
142 ₽
ЗУМ-СМД
Россия
SI2301BDS-T1-GE3
Vishay
по запросу

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: P CH полевой транзистор

Спецификации:

  • Полярность транзистора: P Channel
  • Continuous Drain Current Id: -2.2 А
  • Drain Source Voltage Vds: -20 В
  • On Resistance Rds(on): 80 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: -950 мВ
  • Power Dissipation Pd: 700 мВт

RoHS: есть

Варианты написания:

SI2301BDST1GE3, SI2301BDS T1 GE3

На английском языке: Datasheet SI2301BDS-T1-GE3 - Vishay P CH MOSFET

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка