Клеммы, реле, разъемы Degson со склада в России

Datasheet SI2301BDS-T1-GE3 - Vishay Даташит P CH полевой транзистор — Даташит

Vishay SI2301BDS-T1-GE3

Наименование модели: SI2301BDS-T1-GE3

35 предложений от 15 поставщиков
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,2А; Idm: -10А; 0,45Вт; SOT23
AllElco Electronics
Весь мир
SI2301BDS-T1-GE3
от 4.73 ₽
AiPCBA
Весь мир
SI2301BDS-T1-GE3
Vishay
10 ₽
Контест
Россия
SI2301BDS-T1-GE3
Vishay
36 ₽
Maybo
Весь мир
SI2301BDS-T1-GE3
Vishay
231 ₽
Датчики давления азиатских производителей

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: P CH полевой транзистор

Спецификации:

  • Полярность транзистора: P Channel
  • Continuous Drain Current Id: -2.2 А
  • Drain Source Voltage Vds: -20 В
  • On Resistance Rds(on): 80 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: -950 мВ
  • Power Dissipation Pd: 700 мВт

RoHS: есть

Варианты написания:

SI2301BDST1GE3, SI2301BDS T1 GE3

На английском языке: Datasheet SI2301BDS-T1-GE3 - Vishay P CH MOSFET

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка