Datasheet SI2301BDS-T1-GE3 - Vishay Даташит P CH полевой транзистор — Даташит
Наименование модели: SI2301BDS-T1-GE3
![]() 37 предложений от 17 поставщиков Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,2А; Idm: -10А; 0,45Вт; SOT23 | |||
SI2301BDS-T1-GE3-VB | от 4.38 ₽ | ||
SI2301BDS-T1-GE3 Vishay | 9.21 ₽ | ||
SI2301BDS-T1-GE3-VB | 142 ₽ | ||
SI2301BDS-T1-GE3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: P CH полевой транзистор
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: -2.2 А
- Drain Source Voltage Vds: -20 В
- On Resistance Rds(on): 80 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: -950 мВ
- Power Dissipation Pd: 700 мВт
RoHS: есть
Варианты написания:
SI2301BDST1GE3, SI2301BDS T1 GE3