Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА

Datasheet SI2305ADS-T1-GE3 - Vishay Даташит P CHANNEL полевой транзистор, -8 В, 4.1 А, TO-236 — Даташит

Vishay SI2305ADS-T1-GE3

Наименование модели: SI2305ADS-T1-GE3

12 предложений от 9 поставщиков
P-Channel 8 V 5.4A (Tc) 960mW (Ta), 1.7W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
AiPCBA
Весь мир
SI2305ADS-T1-GE3
Vishay
13 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
SI2305ADS-T1-GE3
Vishay
18 ₽
TradeElectronics
Россия
SI2305ADS-T1-GE3
Vishay
по запросу
Flash-Turtle
Весь мир
SI2305ADS-T1-GE3
Vishay
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: P CHANNEL полевой транзистор, -8 В, 4.1 А, TO-236

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
New Product
Si2305ADS
Vishay Siliconix
P-Channel 8-V (D-S) MOSFET
FEATURES

Данные для моделированияДанные для моделирования

Спецификации:

  • Полярность транзистора: P Channel
  • Continuous Drain Current Id: -4.1 А
  • Drain Source Voltage Vds: -8 В
  • On Resistance Rds(on): 88 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 8 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: -800 мВ

RoHS: есть

Варианты написания:

SI2305ADST1GE3, SI2305ADS T1 GE3

На английском языке: Datasheet SI2305ADS-T1-GE3 - Vishay P CHANNEL MOSFET, -8 V, 4.1 A, TO-236

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России