Datasheet SI2311DS-T1-E3 - Vishay Даташит P CHANNEL полевой транзистор, -8 В, 3 А, TO-236 — Даташит
Наименование модели: SI2311DS-T1-E3
![]() 10 предложений от 10 поставщиков P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET | |||
SI2311DS-T1-E3 Vishay | по запросу | ||
SI2311DST1E3 Vishay | по запросу | ||
SI2311DS-T1-E3 Vishay | по запросу | ||
SI2311DS-T1-E3 | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: P CHANNEL полевой транзистор, -8 В, 3 А, TO-236
Краткое содержание документа:
Si2311DS
Vishay Siliconix
P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) -8 RDS(on) () 0.045 at VGS = - 4.5 V 0.072 at VGS = - 2.5 V 0.120 at VGS = - 1.8 V ID (A) - 3.5 - 2.8 - 2.0
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: -3 А
- Drain Source Voltage Vds: -8 В
- On Resistance Rds(on): 45 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: -800 мВ
RoHS: есть
Варианты написания:
SI2311DST1E3, SI2311DS T1 E3