Datasheet SI2315BDS-T1-GE3 - Vishay Даташит P CH полевой транзистор — Даташит
Наименование модели: SI2315BDS-T1-GE3
![]() 37 предложений от 13 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные | |||
SI2315BDS-T1-GE3 | от 6.85 ₽ | ||
SI2315BDS-T1-GE3 Vishay | от 50 ₽ | ||
SI2315BDS-T1-GE3 | 56 ₽ | ||
SI2315BDS-T1-GE3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: P CH полевой транзистор
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: -3 А
- Drain Source Voltage Vds: -12 В
- On Resistance Rds(on): 40 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: -900 мВ
- Power Dissipation Pd: 750 мВт
RoHS: есть
Варианты написания:
SI2315BDST1GE3, SI2315BDS T1 GE3