Datasheet SI2315BDS-T1-GE3 - Vishay Даташит P CH полевой транзистор — Даташит
Наименование модели: SI2315BDS-T1-GE3
![]() 27 предложений от 13 поставщиков Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -3А; Idm: -12А; 0,48Вт; SOT23 | |||
SI2315BDS-T1-GE3 | от 6.98 ₽ | ||
SI2315BDS-T1-GE3 Vishay | от 22 ₽ | ||
SI2315BDST1GE3 Vishay | 44 ₽ | ||
SI2315BDS-T1-GE3 | 142 ₽ |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: P CH полевой транзистор
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: -3 А
- Drain Source Voltage Vds: -12 В
- On Resistance Rds(on): 40 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: -900 мВ
- Power Dissipation Pd: 750 мВт
RoHS: есть
Варианты написания:
SI2315BDST1GE3, SI2315BDS T1 GE3