Поставки продукции Nuvoton по официальным каналам

Datasheet SI2319DS-T1-GE3 - Vishay Даташит P CH полевой транзистор — Даташит

Vishay SI2319DS-T1-GE3

Наименование модели: SI2319DS-T1-GE3

30 предложений от 14 поставщиков
Транзисторы - МОП-транзисторы
ЧипСити
Россия
SI2319DS-T1-GE3
Vishay
25 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
SI2319DS-T1-GE3
Vishay
38 ₽
Maybo
Весь мир
SI2319DS-T1-GE3
Vishay
59 ₽
ЭИК
Россия
SI2319DS-T1-GE3
Vishay
от 68 ₽

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: P CH полевой транзистор

Спецификации:

  • Полярность транзистора: P Channel
  • Continuous Drain Current Id: -2.3 А
  • Drain Source Voltage Vds: -40 В
  • On Resistance Rds(on): 65 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: -3 В
  • Power Dissipation Pd: 750 мВт

RoHS: есть

Варианты написания:

SI2319DST1GE3, SI2319DS T1 GE3

На английском языке: Datasheet SI2319DS-T1-GE3 - Vishay P CH MOSFET

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка