Datasheet SI2319DS-T1-GE3 - Vishay Даташит P CH полевой транзистор — Даташит
Наименование модели: SI2319DS-T1-GE3
![]() 30 предложений от 14 поставщиков Транзисторы - МОП-транзисторы | |||
SI2319DS-T1-GE3 Vishay | 25 ₽ | ||
SI2319DS-T1-GE3 Vishay | 38 ₽ | ||
SI2319DS-T1-GE3 Vishay | 59 ₽ | ||
SI2319DS-T1-GE3 Vishay | от 68 ₽ |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: P CH полевой транзистор
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: -2.3 А
- Drain Source Voltage Vds: -40 В
- On Resistance Rds(on): 65 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: -3 В
- Power Dissipation Pd: 750 мВт
RoHS: есть
Варианты написания:
SI2319DST1GE3, SI2319DS T1 GE3