Datasheet SI2323DS-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, P CH, 20 В, 4.7 А, TO-236 — Даташит

Наименование модели: SI2323DS-T1-GE3
Купить SI2323DS-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 7.63 до 107 ₽26 предложений от 12 поставщиков Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,8А; Idm: -20А; 1,25Вт; SOT23 | |||
| SI2323DS-T1-GE3 Vishay | от 73 ₽ | ||
| SI2323DS-T1-GE3 Vishay | от 107 ₽ | ||
| SI2323DS-T1-GE3 Vishay | по запросу | ||
| SI2323DS-T1-GE3 Vishay | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, P CH, 20 В, 4.7 А, TO-236
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: -3.7 А
- Drain Source Voltage Vds: -20 В
- On Resistance Rds(on): 0.039 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: TO-236
- Полярность транзистора: P Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Рассеиваемая мощность: 750 мВт
- RoHS: да
Варианты написания:
SI2323DST1GE3, SI2323DS T1 GE3

Купить SI2323DS-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены




