Datasheet SI2323DS-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, P CH, 20 В, 4.7 А, TO-236 — Даташит

Купить SI2323DS-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 7.73 до 142 ₽ 28 предложений от 14 поставщиков Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,8А; Idm: -20А; 1,25Вт; SOT23
T-electron Россия и страны СНГ	SI2323DS-T1-GE3 Vishay	27 ₽	Купить
ЧипСити Россия	SI2323DS-T1-GE3 Vishay	32 ₽	Купить
ЭИК Россия	SI2323DS-T1-GE3 Vishay	от 71 ₽	Купить
ТМ Электроникс Россия	SI2323DS-T1-GE3 Vishay	от 84 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, P CH, 20 В, 4.7 А, TO-236

Скачать Data Sheet

Спецификации:

• Continuous Drain Current Id: -3.7 А
• Drain Source Voltage Vds: -20 В
• On Resistance Rds(on): 0.039 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
• Количество выводов: 3
• Корпус транзистора: TO-236
• Полярность транзистора: P Channel
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Рассеиваемая мощность: 750 мВт
• RoHS: да

Варианты написания:

SI2323DST1GE3, SI2323DS T1 GE3