Shenler: реле, интерфейсные модули

Datasheet SI2323DS-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, P CH, 20 В, 4.7 А, TO-236 — Даташит

Vishay SI2323DS-T1-GE3

Наименование модели: SI2323DS-T1-GE3

26 предложений от 12 поставщиков
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,8А; Idm: -20А; 1,25Вт; SOT23
SI2323DS-T1-GE3
Vishay
от 73 ₽
SI2323DS-T1-GE3
Vishay
от 107 ₽
727GS
Весь мир
SI2323DS-T1-GE3
Vishay
по запросу
LifeElectronics
Россия
SI2323DS-T1-GE3
Vishay
по запросу
SiC-компоненты от ведущих китайских производителей

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, P CH, 20 В, 4.7 А, TO-236

data sheetСкачать Data Sheet

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: -3.7 А
  • Drain Source Voltage Vds: -20 В
  • On Resistance Rds(on): 0.039 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-236
  • Полярность транзистора: P Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Рассеиваемая мощность: 750 мВт
  • RoHS: да

Варианты написания:

SI2323DST1GE3, SI2323DS T1 GE3

На английском языке: Datasheet SI2323DS-T1-GE3 - Vishay MOSFET, P CH, 20 V, 4.7 A, TO-236

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка