HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheet SI2325DS-T1-E3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, P CH, 150 В, 0.69 А, TO-236 — Даташит

Vishay SI2325DS-T1-E3

Наименование модели: SI2325DS-T1-E3

39 предложений от 20 поставщиков
Силовой МОП-транзистор, P Канал, 150 В, 530 мА, 1.3 Ом, TO-236, Surface Mount
SI2325DS-T1-E3
Vishay
19 ₽
Akcel
Весь мир
SI2325DS-T1-E3
Vishay
от 26 ₽
AiPCBA
Весь мир
SI2325DS-T1-E3
Vishay
30 ₽
ChipWorker
Весь мир
SI2325DS-T1-E3
Vishay
60 ₽

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, P CH, 150 В, 0.69 А, TO-236

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si2325DS
Vishay Siliconix
P-Channel 150-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) - 150 RDS(on) () 1.2 at VGS = - 10 V 1.3 at VGS = - 6.0 V ID (A) - 0.69 - 0.66 Qg (Typ.) 7.7

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: -530 мА
  • Drain Source Voltage Vds: -150 В
  • On Resistance Rds(on): 1 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-236
  • Полярность транзистора: P Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Рассеиваемая мощность: 750 мВт
  • RoHS: да

Варианты написания:

SI2325DST1E3, SI2325DS T1 E3

На английском языке: Datasheet SI2325DS-T1-E3 - Vishay MOSFET, P CH, 150 V, 0.69 A, TO-236

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России