Datasheet SI2325DS-T1-E3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, P CH, 150 В, 0.69 А, TO-236 — Даташит
Наименование модели: SI2325DS-T1-E3
Купить SI2325DS-T1-E3 на РадиоЛоцман.Цены — от 19 до 102 ₽ 38 предложений от 19 поставщиков Силовой МОП-транзистор, P Канал, 150 В, 530 мА, 1.3 Ом, TO-236, Surface Mount | |||
SI2325DS-T1-E3 Vishay | 19 ₽ | ||
SI2325DS-T1-E3 Vishay | от 26 ₽ | ||
SI2325DS-T1-E3 Vishay | от 82 ₽ | ||
SI2325DS-T1-E3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, P CH, 150 В, 0.69 А, TO-236
Краткое содержание документа:
Si2325DS
Vishay Siliconix
P-Channel 150-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) - 150 RDS(on) () 1.2 at VGS = - 10 V 1.3 at VGS = - 6.0 V ID (A) - 0.69 - 0.66 Qg (Typ.) 7.7
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: -530 мА
- Drain Source Voltage Vds: -150 В
- On Resistance Rds(on): 1 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: TO-236
- Полярность транзистора: P Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Рассеиваемая мощность: 750 мВт
- RoHS: да
Варианты написания:
SI2325DST1E3, SI2325DS T1 E3