Поставки продукции Nuvoton по официальным каналам

Datasheet SI2327DS-T1-GE3 - Vishay Даташит P CH полевой транзистор, -200 В, 490 мА, TO-236 — Даташит

Vishay SI2327DS-T1-GE3

Наименование модели: SI2327DS-T1-GE3

7 предложений от 7 поставщиков
MOSFET 200V 0.49A 1.25W 2.35ohm @ 10V
SI2327DS-T1-GE3
Vishay
по запросу
T-electron
Россия и страны СНГ
SI2327DS-T1-GE3
Vishay
по запросу
AllElco Electronics
Весь мир
SI2327DS-T1-GE3
по запросу
Augswan
Весь мир
SI2327DS-T1-GE3
Vishay
по запросу

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: P CH полевой транзистор, -200 В, 490 мА, TO-236

Спецификации:

  • Полярность транзистора: P Channel
  • Continuous Drain Current Id: -490 мА
  • Drain Source Voltage Vds: -200 В
  • On Resistance Rds(on): 2.45 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: -6 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: -4.5 В

RoHS: есть

Варианты написания:

SI2327DST1GE3, SI2327DS T1 GE3

На английском языке: Datasheet SI2327DS-T1-GE3 - Vishay P CH MOSFET, -200 V, 490 mA, TO-236

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка